Sumbangan 15 hb September 2024 – 1 hb Oktober 2024 Mengenai pengumpulan sumbangan

Технология полупроводниковых приборов и изделий...

Main
Technique - Industrial Equipment and Technology
Технология полупроводниковых приборов и...

Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Термические процессы

С.Л. Никифорова-Денисова, Е.Л. Любушкин

0 / 0

Sukakah anda buku ini?

Bagaimana kualiti fail ini?

Muat turun buku untuk menilai kualitinya

Bagaimana kualiti fail yang dimuat turun?

Kategori:

Technique - Industrial Equipment and Technology

Jilid:

том 05.

Tahun:

1989

Bahasa:

russian

Halaman:

97

ISBN 10:

5060003078

ISBN 13:

9785060003079

Fail:

DJVU, 1.12 MB

IPFS:

,

russian, 1989

Baca dalam Talian

Penukaran menjadi sedang dijalankan

Penukaran menjadi gagal

Mungkin anda berminat

Бабушкина Л. Г. — Конструирование и технология производства микросхем

Щербакова, Е. Н. — Технологии нано- и микросистемной техники

Богомазова, Наталья Валентиновна — Технология полупроводников

Маслов В.Н. — Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов.

Брук В. — Производство полупроводниковых приборов

Мазель Е. — Планарная технология кремниевых приборов

Курносов А. — Технология производства полупроводниковых приборов

Реньян В.Р. — Технология полупроводникового кремния

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Н. В. Жданова — Микроэлектроника: учебное пособие. Специальность 210100.62 – Электроника и наноэлектроника

— Сборник. Зарубежная электронная техника 2000-4

Салмин О.Н., Бородин С.М. — Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ: Методические указания к лабораторным работам

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. — Технология производства полупроводниковых приборов

О. В. Семенова. — Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. — Технология интегральной электроники

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. и др. — Технология интегральной электроники

Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И. — Производство полупроводниковых приборов

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

— Процессы микро - и нанотехнологии

Нашельский А.Я. — Технология полупроводниковых материалов

Удовиченко С.Ю. — Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро - и наноэлектроники. Часть 3-я

Знаменская Т.Д. — Лекции по конструкторско-технологическому обеспечению

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

Скоробогатова Л.А., Зубрицкий С.М., Петров А.Л., Семёнов А.Л. — Технологии материалов для микро - и наноэлектроники

Рыжиков И.В. — Лекции по технологии микро-электронных устройств

Рейви К. — Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии

Колобов Н.А., Самохвалов М.М. — Диффузия и окисление полупроводников

Светличный А.М., Наумченко А.С. — Конспект лекций по дисциплине Лучевые и плазменные методы формирования наноструктур интегральной электроники

Жданова Наталья Владимировна — Микроэлектроника

Филяк М. М. — Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Сост. СП. Зимин — Методы контроля технологических процессов в электронике: Методические указания по выполнению лабораторных работ

Щербакова, Е. Н. — Технологии нано- и микросистемной техники

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Бургер Р., Донован Р. (ред.) — Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Иванов А. А. — Физико-химические основы технологии электронных средств

Istilah utama

пластины

поверхности

диффузии

используют

температуры

процесса

осаждения

скорость

температуре

примесей

скорости

реактора

поверхность

концентрации

легирования

эпитаксии

дефектов

проводят

окисления

пластина

полупроводниковых

получения

диэлектрических

травления

позволяет

давлении

осаждение

плотность

упаковки